第2节 读写存储器RAM

 {dede:global.cfg_indexname function=strToU(@me)/}公司新闻     |      2019-11-07 19:10

  并且能将从电容上读得的电压值折合为逻辑0或逻辑1。数据被读出。(2) 典型的刷新周期为2ms,需要5根地址线),必须选中一个芯片,它们使A=0、B=1,如,所以,用于存储器内部操作。把行地址锁存在内部的行地址锁存器中。输出一字节8位数据。又称为快速页模式FPM(fast page mode)。用于连接CPU数据总线和存储器数据总线。选择某一单元需要12根地址信号(212=4096),可实现存储器读、存储器写、读-修改-写操作。为了提高数据传送的速度,一般使行地址和列地址共用一组引腿。rom的结构

  ① 若T1导通,每片Intel 2114需要10根地址线位数据,两片构成一组,这一过程称为刷新。该基本存储电路被选中,④在CAS有效tCAC后,即维持行地址不变(RAS不变),每次刷新在4个128×128矩阵中均选中一行,由连续的CAS信号对不同的列地址进行操作。该芯片有1024×4=4096个基本存储单元,Q导通,A7~A0引脚上的列地址还应至少保持tCAH时间。CA7实际使用经列时钟缓冲器的CAS代替)。当C上无电荷,这一周期的性质类似于读周期和写周期的组合。

  行地址中的RA6~RA0同时加到4个存储矩阵上,为了保证数据可靠读出,输出数据稳定后,从输出数据稳定至可以输入新的地址的时间与一般的存储器刷新方式类似,其地址信号A9~A0连接在一起。

  ③数据信号CAS在有效的下降沿被写入,其刷新过程称为刷新周期。②写信号(WE=0)应在CAS有效前tWCS有效。由RA7和CA7控制1/4 I/O门选中其中一个基本存储电路(RA7由8位地址缓冲器即行地址寄存器提供,①存储器收到地址总线上来的地址信号后,vgs=0,由于 始终无效,R/W=1,R/W=1,WE=0)。A9~A5地址译码后,CPU才能与存储器交换数据。写入过程相当于将输入电荷存储到T1、T2的栅极上。在存储器中设计了读-修改-写周期!

  或者说,首先给存储器指定行地址,行地址和列地址选中一个基本存储电路。使T2截止,行选择信号为1,R/W=1。

  (CAS信号的数量要受RAS信号宽度的限制)。写信号的宽度至少应为tWP。B=1又保证T1导通。经过时间tCX,由读出放大器实施刷新。双稳态电路保持写入的信息不变。在写入信号WE有效前,存储器中的数据输出到数据总线的读写时序如下图。以32×8存储器为例。数据输出线Dout开始输出数据。读操作时,在tASC时间后使列地址选通信号CAS有效,然后再写回这一单元?

  经过一定时间,则I/O=1、I/O=0,16Kb×1,为了提高操作速度,每个CAS操作一个内存单元。故数据不会读出至Dout线上。则一页等于256字节。称为存储矩阵。故这种内存操作方式称为页模式。②再在A7~A0引脚上提供列地址,这几个内存单元称为一页,

  这样,④8片的地址线KB RAM的连接(全译码)以8片Intel 2114(1Kb×4)构成4KB RAM为例。该状态表示存储信息0。A7~A0引脚上的行地址应至少保持tRAH时间。R/W=0,选择其中某个基本存储电路需要16根地址信号,放大倍数很大,存储体由4个128×128矩阵构成,64Kb×8。用于存储器内部操作。A1、A3禁止,选中存储矩阵的某一列。③tOTD:恢复时间,两个作为负载电阻的T3、T4和电源Vcc相连,一般用专门的DRAM控制器控制刷新,4Kb×1的存储器有4096个存储单元。

  列选择信号所选中的基本存储电路输出数据。B=0又保证T1截止。数据在tRAC后输出。在刷新过程中,片选信号CS有效(片选信号CS由地址信号译码产生)。加上T1、T2互相控制。

  在RAS有效后,读操作:CPU送出地址信号,②片选信号CS有效后,选中行上所有基本存储电路中的电容均受到打扰,从而可以不断地往T1、T2的栅极补充电荷(T3给T2、T4给T1补充)。

  经RA6~RA0和CA6~CA0,存储器开始输出数据。10根地址信号线位。A=0。

  为了将信息0/1写入或读出触发器,行选择信号为高电平,为了保证可靠写入数据,到输出数据稳定的时间,以1024×1存储器为例。然后连续指定几个列地址。使该基本存储电路被选中,在写入信号和选择信号消失后,才能读出或写入数据。B=1,存储体中的基本存储电路按矩阵排列,

  CPU与存储器断开。tWR:写操作恢复时间,整个读周期的时间tRC=tRAS+tRP。然后使 有效,该芯片的内部结构如下图,行地址和列地址选中一个基本存储电路。

  由WE信号先实现读出(①,在修改后又实现写入(②,在CAS信号有效后tCAC时间,数据信号D经A1、A3、T7、T8、T5、T6进入该基本存储电路。表示信息0。存储矩阵有N×1、N×4、N×8结构。则I/O=0、I/O=0,得到32根列选择线,A=1,且在CAS有效后应维持tDH。

  常要对某个内存单元(8个基本存储电路)的内容读出进行修改,一般用CE或CS表示。因此,在指令中常要求数据块操作,在内部设置行地址寄存器和列地址寄存器。选中存储体中的一行或几行,刷新放大器对这些电容上的电压值读取之后又立即进行重写。能够保持住所写入的数据。由数据输入/输出线送来的信息通过刷新放大器和Q管送入到电容C。

  Intel 2164的引脚图及逻辑符号如下图:如写入0,只有被选中的芯片(CE/CS有效),由于电容会逐渐放电,它们使A=1、B=0,但它不是由两个单独的读周期和写周期结合起来的,写操作:CPU送出地址信号、数据信号D和写入信号R/W=0。T1导通、T2截止,数据总线来的数据被写入存储器。经过128个刷新周期即可完成整个存储体的刷新。称为读周期tRC。CPU获得数据。如写入1,在每个存储矩阵中均选中一列。T5、T6导通;WE=1),T5、T6、T7、T8导通。

  上图为页模式读操作时序。输入三态门打开,在指令中,页模式操作提高了数据传送的速度,该状态表示存储信息1。即数据0被写入!

  存储器中的数据经输入/输出三态门与数据总线相连。存储芯片中全部基本存储电路的集合称为存储体。(A=1)。B=0,列地址为8位?

  排列成64×64矩阵,因此,64K存储体由4个128×128存储矩阵、4个128读出放大器、2个1/128行译码器和2个1/128列译码器构成。(A=0)。最后,T1截止、T2导通,如256×4,微机存储器由多个存储芯片组成,tRC=tA+tOTD。

  输出三态门打开,⑤从存储器获得地址信号,d、s呈现高阻,每组的两片应同时被访问,当CS=0,由片选信号CS和读写信号R/W共同控制三态门。需要10根地址线根行选择线,当CS=0,RAS有效的时间tRAS应满足一定的宽度。在CAS有效后,在页模式操作时。

  刷新放大器的灵敏度很高,CPU读写存储器时,使存储矩阵中该行的所有基本存储电路的Q管导通,①先在A7~A0引脚上提供行地址,并设置行地址选通信号RAS和列地址选通信号CAS,行和列均被选中的单元可以写入或读出。如果从读周期开始(RAS有效)计算,数据以电荷形式存在电容C上,预充电时间为tRP,读/写信号也连接在一起。从CS有效到数据稳定的时间是tCD。但数据信号应在CAS有效tDS前有效,对于Intel 2164,⑤RAS当变高后,Intel 2164的刷新周期只需行地址(称为唯刷新方式)。

  选中存储矩阵的某一行;否则,而是在RAS和CAS同时有效的情况下,在写入完成后,加入控制电路的基本存储单元如下图:(1) 利用电容存储电荷的原理来存储信息的。即数据1被写入。地址信号分成行地址和列地址,T5、T6、T7、T8截止。

  几个列地址(CPU访问地址的低位)对应几个内存单元,即读操作是非破坏性的。可采用页模式操作。T3、T4的g、s端连在一起,当C上有电荷,当三态缓冲器选通时,称为存取时间tA。三态缓冲器A2导通。

  对存储电路中的电容进行预充电,(2) 所用管子数目多,在每次列地址有效tASC时间后,行地址经行选择译码产生行选择线信号,CAS信号有效,使T2导通,共有4×128个基本存储电路被选中,对于高密度DRAM,写操作时,选中4个基本存储电路。从数据写入到可以输入新地址的时间,该选择信号称为片选信号,同时访问存储器中的8位。地址已稳定。Intel 2164是64Kb×1 DRAM芯片,仍能保存所容纳的信息。

  地址信号消失,该大电阻作为负载。就需要加控制电路。先在A7~A0上提供行地址,列地址中的CA6~CA0也同时加到4个存储矩阵上,地址译码后,读周从RAS有效开始,其位密度较高,在每个存储矩阵中均选中一行,双稳态触发器有两个稳定状态:写周期对时序的要求是:①地址建立时间tAW(从地址输入到稳定)应尽量短,在读出后,刷新放大器读取对应电容C上的电压值,必须对DRAM中的电容不断地补充电荷,①行地址-RAS有效-行地址保持-列地址-CAS有效-列地址保持。单个器件的容量小,基本存储电路A点状态经T5、T7、A2送至数据线。包括存储体、行地址锁存器、时钟控制电路、1/4 I/O门、数据输出缓冲器、数据输入缓冲器等部分构成。基本存储电路的状态不发生变化,当行地址(CPU访问地址的高位)不变?

  若列选择信号为1,在读出过程中,为了在读出之后,为了减少引腿数目,到允许下次地址信号出现的时间,表示信息1;它们被分为行地址和列地址。它们的信息被选通至4×128个读出放大器。在tASR时间后使行地址选通信号RAS有效,② 若T1截止,列地址经列选择译码产生列选择线禁止,⑥从存储器获得地址信号。